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当前位置： Chinese homepage >> 科学研究 >> 论文成果Drain Bias Effects on Statistical Variability and Reliability and Related Subthreshold Variability in 20-nm Bulk Planar MOSFETs
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论文类型：期刊论文
第一作者：Xingsheng Wang
通讯作者：Xingsheng Wang
合写作者：X. Wang, A. R. Brown, B. Cheng, S. Roy,A. Asenov
发表刊物：Solid-State Electronics
收录刊物：EI、SCI
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术
卷号：98
页面范围：99–105
发表时间：2014-08-01