王兴晟
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当前位置: Chinese homepage >> 科学研究 >> 论文成果Performance and variability of doped multi-threshold FinFETs for 10nm CMOS
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论文类型:期刊论文
第一作者:Fikru Adamu-Lema, Xingsheng Wang
合写作者:F. Adamu-Lema, X. Wang, S. M. Amoroso, C. Riddet, B. Cheng, L. Shifren, R. Aitken, S. Sinha, G. Yeric,A. Asenov
发表刊物:IEEE Transactions on Electron Devices
收录刊物:EI、SCI
所属单位:University of Glasgow
学科门类:工学
一级学科:电子科学与技术
卷号:61
期号:10
页面范围:3372-3378
发表时间:2014-10-01