|
专利
当前位置： Chinese homepage >> 科学研究 >> 专利一种超晶格忆阻器功能层材料、忆阻器单元及其制备方法
点击次数：
所属单位：华中科技大学
申请专利人：王兴晟,王成旭,缪向水
专利类型：发明
申请号：201911350103.X
授权号：ZL201911350103.X
发明人数：3
申请日期：2019-12-24
授权日期：2022-06-07
|
|
点击次数：
所属单位：华中科技大学
申请专利人：王兴晟,王成旭,缪向水
专利类型：发明
申请号：201911350103.X
授权号：ZL201911350103.X
发明人数：3
申请日期：2019-12-24
授权日期：2022-06-07