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专利
当前位置： Chinese homepage >> 科学研究 >> 专利一种电极修饰层、忆阻器及其制备和控制方法
点击次数：
所属单位：华中科技大学
发明设计人：王兴晟,宋玉洁,缪向水
专利类型：发明
申请号：202011495419.0
授权号：ZL202011495419.0
发明人数：3
申请日期：2020-12-17
授权日期：2022-11-01
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所属单位：华中科技大学
发明设计人：王兴晟,宋玉洁,缪向水
专利类型：发明
申请号：202011495419.0
授权号：ZL202011495419.0
发明人数：3
申请日期：2020-12-17
授权日期：2022-11-01