王兴晟

个人信息Personal Information

教授   博士生导师   硕士生导师  

性别:男

在职信息:在职

所在单位:集成电路学院

学历:研究生(博士)毕业

学位:哲学博士学位

毕业院校:格拉斯哥大学

学科:微电子学与固体电子学

专利

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非对称的铁电功能层阵列、铁电隧道结多值存储单元的制备方法

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所属单位:华中科技大学

发明设计人:王兴晟,王成旭,余豪,缪向水

专利类型:发明

申请号:202010049246.3

授权号:ZL202010049246.3

发明人数:4

申请日期:2020-01-16

授权日期:2022-08-05