王兴晟
专利
当前位置: Chinese homepage >> 科学研究 >> 专利非对称的铁电功能层阵列、铁电隧道结多值存储单元的制备方法
点击次数:
所属单位:华中科技大学
发明设计人:王兴晟,王成旭,余豪,缪向水
专利类型:发明
申请号:202010049246.3
授权号:ZL202010049246.3
发明人数:4
申请日期:2020-01-16
授权日期:2022-08-05
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所属单位:华中科技大学
发明设计人:王兴晟,王成旭,余豪,缪向水
专利类型:发明
申请号:202010049246.3
授权号:ZL202010049246.3
发明人数:4
申请日期:2020-01-16
授权日期:2022-08-05