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专利
当前位置： Chinese homepage >> 科学研究 >> 专利忆阻器单元与CMOS电路的后端集成结构及其制备方法
点击次数：
发明设计人：王兴晟,王成旭,阳帆,黄梦华,缪向水
专利类型：发明
申请号：202111307961.3
授权号：ZL202111307961.3
发明人数：5
申请日期：2021-11-06
授权日期：2024-09-02
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发明设计人：王兴晟,王成旭,阳帆,黄梦华,缪向水
专利类型：发明
申请号：202111307961.3
授权号：ZL202111307961.3
发明人数：5
申请日期：2021-11-06
授权日期：2024-09-02