王兴晟
专利
当前位置: Chinese homepage >> 科学研究 >> 专利忆阻器单元与CMOS电路的后端集成结构及其制备方法
点击次数:
发明设计人:王兴晟,黄梦华,王成旭,缪向水
专利类型:发明
申请号:202210933678.X
授权号:ZL202210933678.X
发明人数:4
申请日期:2022-08-04
授权日期:2024-09-02
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发明设计人:王兴晟,黄梦华,王成旭,缪向水
专利类型:发明
申请号:202210933678.X
授权号:ZL202210933678.X
发明人数:4
申请日期:2022-08-04
授权日期:2024-09-02