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当前位置： Chinese homepage >> 科学研究 >> 论文成果Simulation Study of Dominant Statistical Variability Sources in 32-nm High-κ/Metal Gate CMOS
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论文类型：期刊论文
第一作者：Xingsheng Wang
通讯作者：Xingsheng Wang
合写作者：X. Wang, G. Roy, O. Saxod, A. Bajolet, A. Juge,A. Asenov
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
收录刊物：EI、SCI
所属单位：University of Glasgow
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术
卷号：33
期号：5
页面范围：IEEE Electron Device Letters
发表时间：2012-05-01