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论文成果
当前位置： Chinese homepage >> 科学研究 >> 论文成果Modelling and physical mechanism analysis of the effect of polycrystalline-ferroelectric gate on FE-FinFET
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论文类型：期刊论文
第一作者：王成旭
通讯作者：王兴晟
合写作者：余豪,王奕琛,张子冲,缪向水
发表刊物：SCIENCE CHINA Information Sciences
收录刊物：SCI、EI
所属单位：华中科技大学
刊物所在地：中国
文献类型：J
卷号：66
期号：5
页面范围：159403
DOI码：10.1007/s11432-022-3501-7
发表时间：2023-04-04
影响因子：7.275