王兴晟
专利
当前位置: Chinese homepage >> 科学研究 >> 专利- 王兴晟,宋玉洁,缪向水.一种电极修饰层、忆阻器及其制备和控制方法.发明,ZL202011495419.0,2020-12-17
- 王兴晟,王成旭,缪向水.一种超晶格忆阻器功能层材料、忆阻器单元及其制备方法.发明,ZL201911350103.X,2019-12-24
- 王兴晟,阳帆,周凌珺,王成旭,缪向水.一种三维相变存储器的读写电路.发明,ZL202110575670.6,2021-05-26
- 王兴晟,吴绮雯,宋玉洁,王成旭,缪向水.一种基于忆阻器的完备非易失布尔逻辑电路及操作方法.发明,ZL202110664754.7,2021-06-16
- 王兴晟,郭凯,宋玉洁,阳帆,缪向水.一种物理不可克隆函数电路及其操作方法.发明,ZL202110267847.6,2021-03-12
- 王兴晟,黄恩铭,缪向水.READ-WRITE CIRCUIT AND READ-WRITE METHOD OF MEMRISTOR.PCT或外国申请,US11238928,2020-10-19
- 王兴晟,黄恩铭,缪向水.忆阻器的防过写电路及方法.发明,ZL201910877343.9,2019-09-17
- 王兴晟,黄恩铭,缪向水.忆阻器的读写电路及读写方法.发明,ZL201910877351,2019-09-17
- 王兴晟,黄恩铭,缪向水.忆阻器存储芯片及其操作方法.发明,ZL201910878020.1,2019-09-17